Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
EPC2016
TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
Nombor Bahagian
EPC2016
Pengeluar/Jenama
Siri
eGaN®
Status Bahagian
Discontinued at Digi-Key
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Suhu Operasi
-40°C ~ 125°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
Die
Pakej Peranti Pembekal
Die
Pelesapan Kuasa (Maks)
-
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
11A (Ta)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 3mA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
5.2nC @ 5V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
520pF @ 50V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
5V
Vgs (Maks)
+6V, -5V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 38440 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada EPC2016
EPC2016 Komponen elektronik
EPC2016 Jualan
EPC2016 Pembekal
EPC2016 Pengedar
EPC2016 Jadual data
EPC2016 Foto
EPC2016 harga
EPC2016 Tawaran
EPC2016 Harga terendah
EPC2016 Cari
EPC2016 Membeli
EPC2016 Chip