Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
EPC2025
TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE
Nombor Bahagian
EPC2025
Pengeluar/Jenama
Siri
eGaN®
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Suhu Operasi
-40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
Die
Pakej Peranti Pembekal
Die
Pelesapan Kuasa (Maks)
-
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
300V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
4A (Ta)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 1mA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
-
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
194pF @ 240V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
5V
Vgs (Maks)
+6V, -4V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 23750 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada EPC2025
EPC2025 Komponen elektronik
EPC2025 Jualan
EPC2025 Pembekal
EPC2025 Pengedar
EPC2025 Jadual data
EPC2025 Foto
EPC2025 harga
EPC2025 Tawaran
EPC2025 Harga terendah
EPC2025 Cari
EPC2025 Membeli
EPC2025 Chip