Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
EPC2047ENGRT
TRANS GAN 200V BUMPED DIE
Nombor Bahagian
EPC2047ENGRT
Pengeluar/Jenama
Siri
eGaN®
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Suhu Operasi
-40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
Die
Pakej Peranti Pembekal
Die
Pelesapan Kuasa (Maks)
-
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
200V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
32A (Ta)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 7mA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
10.2nC @ 5V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1050pF @ 100V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
5V
Vgs (Maks)
+6V, -4V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 45969 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada EPC2047ENGRT
EPC2047ENGRT Komponen elektronik
EPC2047ENGRT Jualan
EPC2047ENGRT Pembekal
EPC2047ENGRT Pengedar
EPC2047ENGRT Jadual data
EPC2047ENGRT Foto
EPC2047ENGRT harga
EPC2047ENGRT Tawaran
EPC2047ENGRT Harga terendah
EPC2047ENGRT Cari
EPC2047ENGRT Membeli
EPC2047ENGRT Chip