Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
EPC2106
TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE
Nombor Bahagian
EPC2106
Pengeluar/Jenama
Siri
eGaN®
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Suhu Operasi
-40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
Die
Kuasa - Maks
-
Pakej Peranti Pembekal
Die
Jenis FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Ciri FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
1.7A
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 600µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
0.73nC @ 5V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
75pF @ 50V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 32210 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada EPC2106
EPC2106 Komponen elektronik
EPC2106 Jualan
EPC2106 Pembekal
EPC2106 Pengedar
EPC2106 Jadual data
EPC2106 Foto
EPC2106 harga
EPC2106 Tawaran
EPC2106 Harga terendah
EPC2106 Cari
EPC2106 Membeli
EPC2106 Chip