Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
EPC2108
MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Nombor Bahagian
EPC2108
Pengeluar/Jenama
Siri
eGaN®
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Suhu Operasi
-40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
9-VFBGA
Kuasa - Maks
-
Pakej Peranti Pembekal
9-BGA (1.35x1.35)
Jenis FET
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Ciri FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60V, 100V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
1.7A, 500mA
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 7397 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada EPC2108
EPC2108 Komponen elektronik
EPC2108 Jualan
EPC2108 Pembekal
EPC2108 Pengedar
EPC2108 Jadual data
EPC2108 Foto
EPC2108 harga
EPC2108 Tawaran
EPC2108 Harga terendah
EPC2108 Cari
EPC2108 Membeli
EPC2108 Chip