Beli Infineon Technologies BSB012N03LX3 G MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Helaian data

BSB012N03LX3 G

MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON

Nombor Bahagian

BSB012N03LX3 G

Pengeluar/Jenama

Infineon Technologies

Siri

OptiMOS™

Status Bahagian

Obsolete

Pembungkusan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-40°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

3-WDSON

Pakej Peranti Pembekal

MG-WDSON-2, CanPAK M™

Pelesapan Kuasa (Maks)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Ciri FET

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

30V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

39A (Ta), 180A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1.2 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.2V @ 250µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

169nC @ 10V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

16900pF @ 15V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 27037 PCS

Maklumat perhubungan