Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
BSO612CVGHUMA1
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
Nombor Bahagian
BSO612CVGHUMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
SIPMOS®
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Kuasa - Maks
2W
Pakej Peranti Pembekal
PG-DSO-8
Jenis FET
N and P-Channel
Ciri FET
Standard
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
3A, 2A
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 20µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
15.5nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
340pF @ 25V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 51404 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada BSO612CVGHUMA1
BSO612CVGHUMA1 Komponen elektronik
BSO612CVGHUMA1 Jualan
BSO612CVGHUMA1 Pembekal
BSO612CVGHUMA1 Pengedar
BSO612CVGHUMA1 Jadual data
BSO612CVGHUMA1 Foto
BSO612CVGHUMA1 harga
BSO612CVGHUMA1 Tawaran
BSO612CVGHUMA1 Harga terendah
BSO612CVGHUMA1 Cari
BSO612CVGHUMA1 Membeli
BSO612CVGHUMA1 Chip