Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
BSZ018NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
Nombor Bahagian
BSZ018NE2LSIATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
8-PowerTDFN
Pakej Peranti Pembekal
PG-TSDSON-8-FL
Pelesapan Kuasa (Maks)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
25V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
36nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2500pF @ 12V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 13064 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada BSZ018NE2LSIATMA1
BSZ018NE2LSIATMA1 Komponen elektronik
BSZ018NE2LSIATMA1 Jualan
BSZ018NE2LSIATMA1 Pembekal
BSZ018NE2LSIATMA1 Pengedar
BSZ018NE2LSIATMA1 Jadual data
BSZ018NE2LSIATMA1 Foto
BSZ018NE2LSIATMA1 harga
BSZ018NE2LSIATMA1 Tawaran
BSZ018NE2LSIATMA1 Harga terendah
BSZ018NE2LSIATMA1 Cari
BSZ018NE2LSIATMA1 Membeli
BSZ018NE2LSIATMA1 Chip