Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IPAN65R650CEXKSA1
MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
Nombor Bahagian
IPAN65R650CEXKSA1
Pengeluar/Jenama
Siri
CoolMOS™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
TO-220-3 Full Pack
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO220 Full Pack
Pelesapan Kuasa (Maks)
28W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
Super Junction
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
650V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
10.1A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 210µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
23nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
440pF @ 100V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 38821 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPAN65R650CEXKSA1
IPAN65R650CEXKSA1 Komponen elektronik
IPAN65R650CEXKSA1 Jualan
IPAN65R650CEXKSA1 Pembekal
IPAN65R650CEXKSA1 Pengedar
IPAN65R650CEXKSA1 Jadual data
IPAN65R650CEXKSA1 Foto
IPAN65R650CEXKSA1 harga
IPAN65R650CEXKSA1 Tawaran
IPAN65R650CEXKSA1 Harga terendah
IPAN65R650CEXKSA1 Cari
IPAN65R650CEXKSA1 Membeli
IPAN65R650CEXKSA1 Chip