Beli Infineon Technologies IPB35N10S3L26ATMA1 MOSFET N-CH TO263-3

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Lihat Maklumat Lanjut Helaian data

IPB35N10S3L26ATMA1

MOSFET N-CH TO263-3

Nombor Bahagian

IPB35N10S3L26ATMA1

Pengeluar/Jenama

Infineon Technologies

Siri

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Status Bahagian

Active

Pembungkusan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-55°C ~ 175°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pakej Peranti Pembekal

D²PAK (TO-263AB)

Pelesapan Kuasa (Maks)

71W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Ciri FET

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

100V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

35A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

26.3 mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.4V @ 39µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

39nC @ 10V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

2700pF @ 25V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 43714 PCS

Maklumat perhubungan