Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IPB60R060C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3
Nombor Bahagian
IPB60R060C7ATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
CoolMOS™ C7
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO263-3
Pelesapan Kuasa (Maks)
162W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
650V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
35A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 800µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
68nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2850pF @ 400V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 43476 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPB60R060C7ATMA1
IPB60R060C7ATMA1 Komponen elektronik
IPB60R060C7ATMA1 Jualan
IPB60R060C7ATMA1 Pembekal
IPB60R060C7ATMA1 Pengedar
IPB60R060C7ATMA1 Jadual data
IPB60R060C7ATMA1 Foto
IPB60R060C7ATMA1 harga
IPB60R060C7ATMA1 Tawaran
IPB60R060C7ATMA1 Harga terendah
IPB60R060C7ATMA1 Cari
IPB60R060C7ATMA1 Membeli
IPB60R060C7ATMA1 Chip