Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IPB60R250CPATMA1
MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
Nombor Bahagian
IPB60R250CPATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
CoolMOS™
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO263-3-2
Pelesapan Kuasa (Maks)
104W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
650V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
12A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 440µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
35nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1200pF @ 100V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 5017 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPB60R250CPATMA1
IPB60R250CPATMA1 Komponen elektronik
IPB60R250CPATMA1 Jualan
IPB60R250CPATMA1 Pembekal
IPB60R250CPATMA1 Pengedar
IPB60R250CPATMA1 Jadual data
IPB60R250CPATMA1 Foto
IPB60R250CPATMA1 harga
IPB60R250CPATMA1 Tawaran
IPB60R250CPATMA1 Harga terendah
IPB60R250CPATMA1 Cari
IPB60R250CPATMA1 Membeli
IPB60R250CPATMA1 Chip