Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IPD200N15N3GBTMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Nombor Bahagian
IPD200N15N3GBTMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO252-3
Pelesapan Kuasa (Maks)
150W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
150V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
50A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 90µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
31nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1820pF @ 75V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
8V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 7375 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPD200N15N3GBTMA1
IPD200N15N3GBTMA1 Komponen elektronik
IPD200N15N3GBTMA1 Jualan
IPD200N15N3GBTMA1 Pembekal
IPD200N15N3GBTMA1 Pengedar
IPD200N15N3GBTMA1 Jadual data
IPD200N15N3GBTMA1 Foto
IPD200N15N3GBTMA1 harga
IPD200N15N3GBTMA1 Tawaran
IPD200N15N3GBTMA1 Harga terendah
IPD200N15N3GBTMA1 Cari
IPD200N15N3GBTMA1 Membeli
IPD200N15N3GBTMA1 Chip