Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IPI023NE7N3 G
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Nombor Bahagian
IPI023NE7N3 G
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO262-3
Pelesapan Kuasa (Maks)
300W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
75V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
120A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.8V @ 273µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
206nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
14400pF @ 37.5V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
-
Vgs (Maks)
-
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 13964 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPI023NE7N3 G
IPI023NE7N3 G Komponen elektronik
IPI023NE7N3 G Jualan
IPI023NE7N3 G Pembekal
IPI023NE7N3 G Pengedar
IPI023NE7N3 G Jadual data
IPI023NE7N3 G Foto
IPI023NE7N3 G harga
IPI023NE7N3 G Tawaran
IPI023NE7N3 G Harga terendah
IPI023NE7N3 G Cari
IPI023NE7N3 G Membeli
IPI023NE7N3 G Chip