Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SPP02N60C3HKSA1

SPP02N60C3HKSA1

MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB
Nombor Bahagian
SPP02N60C3HKSA1
Pengeluar/Jenama
Siri
CoolMOS™
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
TO-220-3
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO220-3-1
Pelesapan Kuasa (Maks)
25W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
650V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
1.8A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.9V @ 80µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
12.5nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
200pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 11899 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SPP02N60C3HKSA1
SPP02N60C3HKSA1 Komponen elektronik
SPP02N60C3HKSA1 Jualan
SPP02N60C3HKSA1 Pembekal
SPP02N60C3HKSA1 Pengedar
SPP02N60C3HKSA1 Jadual data
SPP02N60C3HKSA1 Foto
SPP02N60C3HKSA1 harga
SPP02N60C3HKSA1 Tawaran
SPP02N60C3HKSA1 Harga terendah
SPP02N60C3HKSA1 Cari
SPP02N60C3HKSA1 Membeli
SPP02N60C3HKSA1 Chip