Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IXFL30N120P
MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
Nombor Bahagian
IXFL30N120P
Pengeluar/Jenama
Siri
HiPerFET™, PolarP2™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
ISOPLUSi5-Pak™
Pakej Peranti Pembekal
ISOPLUSi5-Pak™
Pelesapan Kuasa (Maks)
357W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
1200V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
18A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
6.5V @ 1mA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
310nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
19000pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 36841 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IXFL30N120P
IXFL30N120P Komponen elektronik
IXFL30N120P Jualan
IXFL30N120P Pembekal
IXFL30N120P Pengedar
IXFL30N120P Jadual data
IXFL30N120P Foto
IXFL30N120P harga
IXFL30N120P Tawaran
IXFL30N120P Harga terendah
IXFL30N120P Cari
IXFL30N120P Membeli
IXFL30N120P Chip