Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IXTD4N80P-3J
MOSFET N-CH 800
Nombor Bahagian
IXTD4N80P-3J
Pengeluar/Jenama
Siri
PolarHV™
Status Bahagian
Last Time Buy
Pembungkusan
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
Die
Pakej Peranti Pembekal
Die
Pelesapan Kuasa (Maks)
100W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
800V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
3.6A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
3.4 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5.5V @ 100µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
14.2nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
750pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 36243 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IXTD4N80P-3J
IXTD4N80P-3J Komponen elektronik
IXTD4N80P-3J Jualan
IXTD4N80P-3J Pembekal
IXTD4N80P-3J Pengedar
IXTD4N80P-3J Jadual data
IXTD4N80P-3J Foto
IXTD4N80P-3J harga
IXTD4N80P-3J Tawaran
IXTD4N80P-3J Harga terendah
IXTD4N80P-3J Cari
IXTD4N80P-3J Membeli
IXTD4N80P-3J Chip