Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
FQB8N60CTM

FQB8N60CTM

MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Nombor Bahagian
FQB8N60CTM
Pengeluar/Jenama
Siri
QFET®
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
D²PAK (TO-263AB)
Pelesapan Kuasa (Maks)
3.13W (Ta), 147W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
7.5A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
36nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1255pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 47861 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada FQB8N60CTM
FQB8N60CTM Komponen elektronik
FQB8N60CTM Jualan
FQB8N60CTM Pembekal
FQB8N60CTM Pengedar
FQB8N60CTM Jadual data
FQB8N60CTM Foto
FQB8N60CTM harga
FQB8N60CTM Tawaran
FQB8N60CTM Harga terendah
FQB8N60CTM Cari
FQB8N60CTM Membeli
FQB8N60CTM Chip