Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
FQD10N20LTM
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Nombor Bahagian
FQD10N20LTM
Pengeluar/Jenama
Siri
QFET®
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakej Peranti Pembekal
TO-252, (D-Pak)
Pelesapan Kuasa (Maks)
2.5W (Ta), 51W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
200V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
7.6A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
17nC @ 5V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
830pF @ 25V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 13011 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada FQD10N20LTM
FQD10N20LTM Komponen elektronik
FQD10N20LTM Jualan
FQD10N20LTM Pembekal
FQD10N20LTM Pengedar
FQD10N20LTM Jadual data
FQD10N20LTM Foto
FQD10N20LTM harga
FQD10N20LTM Tawaran
FQD10N20LTM Harga terendah
FQD10N20LTM Cari
FQD10N20LTM Membeli
FQD10N20LTM Chip