Beli ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Lihat Maklumat Lanjut Helaian data

HGTD1N120BNS9A

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Nombor Bahagian

HGTD1N120BNS9A

Pengeluar/Jenama

ON Semiconductor

Siri

Status Bahagian

Active

Pembungkusan

Tape & Reel (TR)

Jenis Input

Standard

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kuasa - Maks

60W

Pakej Peranti Pembekal

TO-252AA

Masa Pemulihan Songsang (trr)

Arus - Pengumpul (Ic) (Maks)

5.3A

Voltan - Pecahan Pemancar Pemungut (Maks)

1200V

Jenis IGBT

NPT

Vce(on) (Maks) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 1A

Arus - Denyutan Pengumpul (Icm)

Tenaga Bertukar

70µJ (on), 90µJ (off)

Caj Pintu

14nC

Td (hidup/mati) @ 25�C

15ns/67ns

Keadaan ujian

960V, 1A, 82 Ohm, 15V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 43318 PCS

Maklumat perhubungan

Produk Berkaitan

HGTD1N120BNS9A

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA