Beli ON Semiconductor HGTP10N120BN IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Lihat Maklumat Lanjut Helaian data

HGTP10N120BN

IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

Nombor Bahagian

HGTP10N120BN

Pengeluar/Jenama

ON Semiconductor

Siri

Status Bahagian

Not For New Designs

Pembungkusan

Tube

Jenis Input

Standard

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Through Hole

Pakej / Kes

TO-220-3

Kuasa - Maks

298W

Pakej Peranti Pembekal

TO-220AB

Masa Pemulihan Songsang (trr)

Arus - Pengumpul (Ic) (Maks)

35A

Voltan - Pecahan Pemancar Pemungut (Maks)

1200V

Jenis IGBT

NPT

Vce(on) (Maks) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Arus - Denyutan Pengumpul (Icm)

80A

Tenaga Bertukar

320µJ (on), 800µJ (off)

Caj Pintu

100nC

Td (hidup/mati) @ 25�C

23ns/165ns

Keadaan ujian

960V, 10A, 10 Ohm, 15V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 16103 PCS

Maklumat perhubungan

Produk Berkaitan

HGTP10N120BN

IGBT 1200V 35A 298W TO220AB