Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
STW50N65DM2AG
MOSFET N-CH 650V 28A
Nombor Bahagian
STW50N65DM2AG
Pengeluar/Jenama
Siri
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
TO-247-3
Pakej Peranti Pembekal
TO-247
Pelesapan Kuasa (Maks)
300W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
650V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
28A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
87 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
70nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3200pF @ 100V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±25V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 5903 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada STW50N65DM2AG
STW50N65DM2AG Komponen elektronik
STW50N65DM2AG Jualan
STW50N65DM2AG Pembekal
STW50N65DM2AG Pengedar
STW50N65DM2AG Jadual data
STW50N65DM2AG Foto
STW50N65DM2AG harga
STW50N65DM2AG Tawaran
STW50N65DM2AG Harga terendah
STW50N65DM2AG Cari
STW50N65DM2AG Membeli
STW50N65DM2AG Chip