Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
TC58BVG2S0HBAI4
IC EEPROM 4GBIT 25NS 63FBGA
Nombor Bahagian
TC58BVG2S0HBAI4
Pengeluar/Jenama
Siri
Benand™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tray
Teknologi
FLASH - NAND (SLC)
Suhu Operasi
-40°C ~ 85°C (TA)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
63-VFBGA
Pakej Peranti Pembekal
63-TFBGA (9x11)
Voltan - Bekalan
2.7 V ~ 3.6 V
Jenis Memori
Non-Volatile
Saiz Memori
4Gb (512M x 8)
Masa Capaian
25ns
Kekerapan Jam
-
Format Memori
Flash
Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman
25ns
Antara Muka Memori
Parallel
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 25621 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada TC58BVG2S0HBAI4
TC58BVG2S0HBAI4 Komponen elektronik
TC58BVG2S0HBAI4 Jualan
TC58BVG2S0HBAI4 Pembekal
TC58BVG2S0HBAI4 Pengedar
TC58BVG2S0HBAI4 Jadual data
TC58BVG2S0HBAI4 Foto
TC58BVG2S0HBAI4 harga
TC58BVG2S0HBAI4 Tawaran
TC58BVG2S0HBAI4 Harga terendah
TC58BVG2S0HBAI4 Cari
TC58BVG2S0HBAI4 Membeli
TC58BVG2S0HBAI4 Chip