Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
TC58BYG0S3HBAI6
IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
Nombor Bahagian
TC58BYG0S3HBAI6
Pengeluar/Jenama
Siri
Benand™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tray
Teknologi
FLASH - NAND (SLC)
Suhu Operasi
-40°C ~ 85°C (TA)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
67-VFBGA
Pakej Peranti Pembekal
67-VFBGA (6.5x8)
Voltan - Bekalan
1.7 V ~ 1.95 V
Jenis Memori
Non-Volatile
Saiz Memori
1Gb (128M x 8)
Masa Capaian
25ns
Kekerapan Jam
-
Format Memori
Flash
Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman
25ns
Antara Muka Memori
Parallel
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 48313 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada TC58BYG0S3HBAI6
TC58BYG0S3HBAI6 Komponen elektronik
TC58BYG0S3HBAI6 Jualan
TC58BYG0S3HBAI6 Pembekal
TC58BYG0S3HBAI6 Pengedar
TC58BYG0S3HBAI6 Jadual data
TC58BYG0S3HBAI6 Foto
TC58BYG0S3HBAI6 harga
TC58BYG0S3HBAI6 Tawaran
TC58BYG0S3HBAI6 Harga terendah
TC58BYG0S3HBAI6 Cari
TC58BYG0S3HBAI6 Membeli
TC58BYG0S3HBAI6 Chip