Beli Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R306PL,L1Q X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Helaian data

TPW1R306PL,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Nombor Bahagian

TPW1R306PL,L1Q

Pengeluar/Jenama

Toshiba Semiconductor and Storage

Siri

U-MOSIX-H

Status Bahagian

Active

Pembungkusan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

8-PowerVDFN

Pakej Peranti Pembekal

8-DSOP Advance

Pelesapan Kuasa (Maks)

960mW (Ta), 170W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Ciri FET

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

60V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

260A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

Vgs(th) (Maks) @ Id

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 54132 PCS

Maklumat perhubungan