Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SI4800BDY-T1-E3

SI4800BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Nombor Bahagian
SI4800BDY-T1-E3
Pengeluar/Jenama
Siri
TrenchFET®
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakej Peranti Pembekal
8-SO
Pelesapan Kuasa (Maks)
1.3W (Ta)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
6.5A (Ta)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
18.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.8V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
13nC @ 5V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±25V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 13389 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SI4800BDY-T1-E3
SI4800BDY-T1-E3 Komponen elektronik
SI4800BDY-T1-E3 Jualan
SI4800BDY-T1-E3 Pembekal
SI4800BDY-T1-E3 Pengedar
SI4800BDY-T1-E3 Jadual data
SI4800BDY-T1-E3 Foto
SI4800BDY-T1-E3 harga
SI4800BDY-T1-E3 Tawaran
SI4800BDY-T1-E3 Harga terendah
SI4800BDY-T1-E3 Cari
SI4800BDY-T1-E3 Membeli
SI4800BDY-T1-E3 Chip