Beli Vishay Siliconix SI4850BDY-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V SO-8

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Helaian data

SI4850BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V SO-8

Nombor Bahagian

SI4850BDY-T1-GE3

Pengeluar/Jenama

Vishay Siliconix

Siri

TrenchFET® Gen IV

Status Bahagian

Active

Pembungkusan

Digi-Reel®

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pakej Peranti Pembekal

8-SO

Pelesapan Kuasa (Maks)

2.5W (Ta), 4.5W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Ciri FET

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

60V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

8.4A (Ta), 11.3A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

19.5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.8V @ 250µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

17nC @ 10V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

790pF @ 30V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada chen_hx1688@hotmail.com, kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 29541 PCS

Maklumat perhubungan

Produk Berkaitan

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC