Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SIDR140DP-T1-GE3

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC
Nombor Bahagian
SIDR140DP-T1-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
TrenchFET® Gen IV
Status Bahagian
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8DC
Pelesapan Kuasa (Maks)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
25V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
79A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
0.67 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.1V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
170nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
8150pF @ 10V
Vgs (Maks)
+20V, -16V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 39057 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SIDR140DP-T1-GE3
SIDR140DP-T1-GE3 Komponen elektronik
SIDR140DP-T1-GE3 Jualan
SIDR140DP-T1-GE3 Pembekal
SIDR140DP-T1-GE3 Pengedar
SIDR140DP-T1-GE3 Jadual data
SIDR140DP-T1-GE3 Foto
SIDR140DP-T1-GE3 harga
SIDR140DP-T1-GE3 Tawaran
SIDR140DP-T1-GE3 Harga terendah
SIDR140DP-T1-GE3 Cari
SIDR140DP-T1-GE3 Membeli
SIDR140DP-T1-GE3 Chip