Beli Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Helaian data

SIDR610DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Nombor Bahagian

SIDR610DP-T1-GE3

Pengeluar/Jenama

Vishay Siliconix

Siri

TrenchFET®

Status Bahagian

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

PowerPAK® SO-8

Pakej Peranti Pembekal

PowerPAK® SO-8DC

Pelesapan Kuasa (Maks)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

200V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

8.9A (Ta), 39.6A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

31.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

38nC @ 10V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

1380pF @ 100V

Vgs (Maks)

±20V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

7.5V, 10V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 47401 PCS

Maklumat perhubungan

Produk Berkaitan

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC