Beli Vishay Siliconix SIDR622DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 150V

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Helaian data

SIDR622DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 150V

Nombor Bahagian

SIDR622DP-T1-GE3

Pengeluar/Jenama

Vishay Siliconix

Siri

TrenchFET®

Status Bahagian

Active

Pembungkusan

Digi-Reel®

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

PowerPAK® SO-8

Pakej Peranti Pembekal

PowerPAK® SO-8DC

Pelesapan Kuasa (Maks)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Ciri FET

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

150V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

64.6A (Ta), 56.7A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

17.7 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4.5V @ 250µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

41nC @ 10V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

1516pF @ 75V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

7.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada chen_hx1688@hotmail.com, kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 19869 PCS

Maklumat perhubungan

Produk Berkaitan

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC