Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SIHB065N60E-GE3

SIHB065N60E-GE3

MOSFET E SERIES 600V D2PAK (TO-2
Nombor Bahagian
SIHB065N60E-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
E
Status Bahagian
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
D²PAK (TO-263)
Pelesapan Kuasa (Maks)
250W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
40A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
74nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2700pF @ 100V
Vgs (Maks)
±30V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 23064 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SIHB065N60E-GE3
SIHB065N60E-GE3 Komponen elektronik
SIHB065N60E-GE3 Jualan
SIHB065N60E-GE3 Pembekal
SIHB065N60E-GE3 Pengedar
SIHB065N60E-GE3 Jadual data
SIHB065N60E-GE3 Foto
SIHB065N60E-GE3 harga
SIHB065N60E-GE3 Tawaran
SIHB065N60E-GE3 Harga terendah
SIHB065N60E-GE3 Cari
SIHB065N60E-GE3 Membeli
SIHB065N60E-GE3 Chip