Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SIHP050N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V
Nombor Bahagian
SIHP050N60E-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
E
Status Bahagian
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Pakej / Kes
TO-220-3
Pakej Peranti Pembekal
TO-220AB
Pelesapan Kuasa (Maks)
278W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
600V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
51A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
130nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3459pF @ 100V
Vgs (Maks)
±30V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 42835 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada SIHP050N60E-GE3
SIHP050N60E-GE3 Komponen elektronik
SIHP050N60E-GE3 Jualan
SIHP050N60E-GE3 Pembekal
SIHP050N60E-GE3 Pengedar
SIHP050N60E-GE3 Jadual data
SIHP050N60E-GE3 Foto
SIHP050N60E-GE3 harga
SIHP050N60E-GE3 Tawaran
SIHP050N60E-GE3 Harga terendah
SIHP050N60E-GE3 Cari
SIHP050N60E-GE3 Membeli
SIHP050N60E-GE3 Chip