Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SIJ186DP-T1-GE3

SIJ186DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L
Nombor Bahagian
SIJ186DP-T1-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
TrenchFET® Gen IV
Status Bahagian
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8
Pelesapan Kuasa (Maks)
5W (Ta), 57W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.6V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
37nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1710pF @ 30V
Vgs (Maks)
±20V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
6V, 10V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 44891 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SIJ186DP-T1-GE3
SIJ186DP-T1-GE3 Komponen elektronik
SIJ186DP-T1-GE3 Jualan
SIJ186DP-T1-GE3 Pembekal
SIJ186DP-T1-GE3 Pengedar
SIJ186DP-T1-GE3 Jadual data
SIJ186DP-T1-GE3 Foto
SIJ186DP-T1-GE3 harga
SIJ186DP-T1-GE3 Tawaran
SIJ186DP-T1-GE3 Harga terendah
SIJ186DP-T1-GE3 Cari
SIJ186DP-T1-GE3 Membeli
SIJ186DP-T1-GE3 Chip