Beli Vishay Siliconix SIS888DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Helaian data

SIS888DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Nombor Bahagian

SIS888DN-T1-GE3

Pengeluar/Jenama

Vishay Siliconix

Siri

ThunderFET®

Status Bahagian

Active

Pembungkusan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TA)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

PowerPAK® 1212-8S

Pakej Peranti Pembekal

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Pelesapan Kuasa (Maks)

52W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Ciri FET

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

150V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

20.2A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

58 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4.2V @ 250µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

14.5nC @ 10V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

420pF @ 75V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

7.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 50345 PCS

Maklumat perhubungan

Produk Berkaitan

SIS822DNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212