Beli Vishay Siliconix SISC06DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Helaian data

SISC06DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V

Nombor Bahagian

SISC06DN-T1-GE3

Pengeluar/Jenama

Vishay Siliconix

Siri

TrenchFET® Gen IV

Status Bahagian

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

PowerPAK® 1212-8

Pakej Peranti Pembekal

PowerPAK® 1212-8

Pelesapan Kuasa (Maks)

3.7W (Ta), 46.3W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Ciri FET

Schottky Diode (Isolated)

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

30V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

27.6A (Ta), 40A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

2.7 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.1V @ 250µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

58nC @ 10V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

2455pF @ 15V

Vgs (Maks)

+20V, -16V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

4.5V, 10V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 31266 PCS

Maklumat perhubungan

Produk Berkaitan

SISC050N10DX1SA1

MOSFET N-CHAN SAWED WAFER