Beli Vishay Siliconix SISH112DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Lihat Maklumat Lanjut Helaian data

SISH112DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

Nombor Bahagian

SISH112DN-T1-GE3

Pengeluar/Jenama

Vishay Siliconix

Siri

TrenchFET®

Status Bahagian

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-50°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

PowerPAK® 1212-8SH

Pakej Peranti Pembekal

PowerPAK® 1212-8SH

Pelesapan Kuasa (Maks)

1.5W (Tc)

Jenis FET

N-Channel

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

30V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

11.3A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

7.5 mOhm @ 17.8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1.5V @ 250µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

2610pF @ 15V

Vgs (Maks)

±12V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

4.5V, 10V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 13451 PCS

Maklumat perhubungan

Produk Berkaitan

SISH106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH