Beli Vishay Siliconix SISH617DN-T1-GE3 MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.

Lihat Maklumat Lanjut Helaian data

SISH617DN-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Nombor Bahagian

SISH617DN-T1-GE3

Pengeluar/Jenama

Vishay Siliconix

Siri

TrenchFET®

Status Bahagian

Active

Pembungkusan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasi

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Surface Mount

Pakej / Kes

PowerPAK® 1212-8S

Pakej Peranti Pembekal

PowerPAK® 1212-8S

Pelesapan Kuasa (Maks)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Jenis FET

P-Channel

Ciri FET

Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)

30V

Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C

13.9A (Ta), 35A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

12.3 mOhm @ 13.9A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 250µA

Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

59nC @ 10V

Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds

1800pF @ 15V

Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±25V

Minta Sebut Harga

Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.

Dalam stok 47494 PCS

Maklumat perhubungan

Produk Berkaitan

SISH106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH