Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SISH625DN-T1-GE3

SISH625DN-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 30 V POWERPAK 1212
Nombor Bahagian
SISH625DN-T1-GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
TrenchFET®
Status Bahagian
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
PowerPAK® 1212-8SH
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® 1212-8SH
Pelesapan Kuasa (Maks)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Jenis FET
P-Channel
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
126nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4427pF @ 15V
Vgs (Maks)
±20V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 15515 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SISH625DN-T1-GE3
SISH625DN-T1-GE3 Komponen elektronik
SISH625DN-T1-GE3 Jualan
SISH625DN-T1-GE3 Pembekal
SISH625DN-T1-GE3 Pengedar
SISH625DN-T1-GE3 Jadual data
SISH625DN-T1-GE3 Foto
SISH625DN-T1-GE3 harga
SISH625DN-T1-GE3 Tawaran
SISH625DN-T1-GE3 Harga terendah
SISH625DN-T1-GE3 Cari
SISH625DN-T1-GE3 Membeli
SISH625DN-T1-GE3 Chip