Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SQJB00EP-T1_GE3

SQJB00EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Nombor Bahagian
SQJB00EP-T1_GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
PowerPAK® SO-8 Dual
Kuasa - Maks
48W
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® SO-8 Dual
Jenis FET
2 N-Channel (Dual)
Ciri FET
Standard
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
30A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
35nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1700pF @ 25V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 6679 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SQJB00EP-T1_GE3
SQJB00EP-T1_GE3 Komponen elektronik
SQJB00EP-T1_GE3 Jualan
SQJB00EP-T1_GE3 Pembekal
SQJB00EP-T1_GE3 Pengedar
SQJB00EP-T1_GE3 Jadual data
SQJB00EP-T1_GE3 Foto
SQJB00EP-T1_GE3 harga
SQJB00EP-T1_GE3 Tawaran
SQJB00EP-T1_GE3 Harga terendah
SQJB00EP-T1_GE3 Cari
SQJB00EP-T1_GE3 Membeli
SQJB00EP-T1_GE3 Chip