Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SQS850EN-T1_GE3

SQS850EN-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 12A POWERPAK1212
Nombor Bahagian
SQS850EN-T1_GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
-
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
PowerPAK® 1212-8
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® 1212-8
Pelesapan Kuasa (Maks)
33W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
12A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
21.5 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
41nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2021pF @ 30V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 36888 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SQS850EN-T1_GE3
SQS850EN-T1_GE3 Komponen elektronik
SQS850EN-T1_GE3 Jualan
SQS850EN-T1_GE3 Pembekal
SQS850EN-T1_GE3 Pengedar
SQS850EN-T1_GE3 Jadual data
SQS850EN-T1_GE3 Foto
SQS850EN-T1_GE3 harga
SQS850EN-T1_GE3 Tawaran
SQS850EN-T1_GE3 Harga terendah
SQS850EN-T1_GE3 Cari
SQS850EN-T1_GE3 Membeli
SQS850EN-T1_GE3 Chip