Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
SQS966ENW-T1_GE3

SQS966ENW-T1_GE3

MOSFET N-CHAN 60V
Nombor Bahagian
SQS966ENW-T1_GE3
Pengeluar/Jenama
Siri
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Digi-Reel®
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
PowerPAK® 1212-8W
Kuasa - Maks
27.8W (Tc)
Pakej Peranti Pembekal
PowerPAK® 1212-8W
Jenis FET
2 N-Channel (Dual)
Ciri FET
Standard
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
6A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
36 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
8.8nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
572pF @ 25V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 50352 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada SQS966ENW-T1_GE3
SQS966ENW-T1_GE3 Komponen elektronik
SQS966ENW-T1_GE3 Jualan
SQS966ENW-T1_GE3 Pembekal
SQS966ENW-T1_GE3 Pengedar
SQS966ENW-T1_GE3 Jadual data
SQS966ENW-T1_GE3 Foto
SQS966ENW-T1_GE3 harga
SQS966ENW-T1_GE3 Tawaran
SQS966ENW-T1_GE3 Harga terendah
SQS966ENW-T1_GE3 Cari
SQS966ENW-T1_GE3 Membeli
SQS966ENW-T1_GE3 Chip