VBsemi (Wei Bi)
Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
NTJD4001NT1G-VB
2 N-channel 20V 2.6A
Nombor Bahagian
NTJD4001NT1G-VB
kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Pengeluar/Jenama
VBsemi (Wei Bi)
Enkapsulasi
SOT-363
Pembungkusan
taping
Bilangan pakej
3000
Penerangan
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 65402 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
8V Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
2 N-Channel 30V 250mA Dual N-Channel Small Signal MOSFET 30V 250mA 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
2 N-channel 60V 295mA Dual N?Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω
onsemi (Ansemi)
Kata kunci daripada NTJD4001NT1G-VB
NTJD4001NT1G-VB Komponen elektronik
NTJD4001NT1G-VB Jualan
NTJD4001NT1G-VB Pembekal
NTJD4001NT1G-VB Pengedar
NTJD4001NT1G-VB Jadual data
NTJD4001NT1G-VB Foto
NTJD4001NT1G-VB harga
NTJD4001NT1G-VB Tawaran
NTJD4001NT1G-VB Harga terendah
NTJD4001NT1G-VB Cari
NTJD4001NT1G-VB Membeli
NTJD4001NT1G-VB Chip