TECH PUBLIC (Taizhou)
Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
NTJD4105CT1G
NTJD4105CT1G
Nombor Bahagian
NTJD4105CT1G
kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Pengeluar/Jenama
TECH PUBLIC (Taizhou)
Enkapsulasi
SOT-363-6
Pembungkusan
taping
Bilangan pakej
3000
Penerangan
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 90459 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
8V Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
2 N-Channel 30V 250mA Dual N-Channel Small Signal MOSFET 30V 250mA 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
2 N-channel 60V 295mA Dual N?Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω
onsemi (Ansemi)
Kata kunci daripada NTJD4105CT1G
NTJD4105CT1G Komponen elektronik
NTJD4105CT1G Jualan
NTJD4105CT1G Pembekal
NTJD4105CT1G Pengedar
NTJD4105CT1G Jadual data
NTJD4105CT1G Foto
NTJD4105CT1G harga
NTJD4105CT1G Tawaran
NTJD4105CT1G Harga terendah
NTJD4105CT1G Cari
NTJD4105CT1G Membeli
NTJD4105CT1G Chip