IPB009N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Nombor Bahagian
IPB009N03LGATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO263-7-3
Pelesapan Kuasa (Maks)
250W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
30V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
180A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
0.95 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
227nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
25000pF @ 15V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 52707 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPB009N03LGATMA1
IPB009N03LGATMA1 Komponen elektronik
IPB009N03LGATMA1 Jualan
IPB009N03LGATMA1 Pembekal
IPB009N03LGATMA1 Pengedar
IPB009N03LGATMA1 Jadual data
IPB009N03LGATMA1 Foto
IPB009N03LGATMA1 harga
IPB009N03LGATMA1 Tawaran
IPB009N03LGATMA1 Harga terendah
IPB009N03LGATMA1 Cari
IPB009N03LGATMA1 Membeli
IPB009N03LGATMA1 Chip