IPB011N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Nombor Bahagian
IPB011N04LGATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO263-7-3
Pelesapan Kuasa (Maks)
250W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
40V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
180A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 200µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
346nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
29000pF @ 20V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 32116 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPB011N04LGATMA1
IPB011N04LGATMA1 Komponen elektronik
IPB011N04LGATMA1 Jualan
IPB011N04LGATMA1 Pembekal
IPB011N04LGATMA1 Pengedar
IPB011N04LGATMA1 Jadual data
IPB011N04LGATMA1 Foto
IPB011N04LGATMA1 harga
IPB011N04LGATMA1 Tawaran
IPB011N04LGATMA1 Harga terendah
IPB011N04LGATMA1 Cari
IPB011N04LGATMA1 Membeli
IPB011N04LGATMA1 Chip