IPB017N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V D2PAK-7
Nombor Bahagian
IPB017N10N5LFATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™-5
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Pakej Peranti Pembekal
PG-TO263-7
Pelesapan Kuasa (Maks)
313W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
180A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.1V @ 270µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
195nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
840pF @ 50V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 31723 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPB017N10N5LFATMA1
IPB017N10N5LFATMA1 Komponen elektronik
IPB017N10N5LFATMA1 Jualan
IPB017N10N5LFATMA1 Pembekal
IPB017N10N5LFATMA1 Pengedar
IPB017N10N5LFATMA1 Jadual data
IPB017N10N5LFATMA1 Foto
IPB017N10N5LFATMA1 harga
IPB017N10N5LFATMA1 Tawaran
IPB017N10N5LFATMA1 Harga terendah
IPB017N10N5LFATMA1 Cari
IPB017N10N5LFATMA1 Membeli
IPB017N10N5LFATMA1 Chip