IPB021N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Nombor Bahagian
IPB021N06N3GATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
D²PAK (TO-263AB)
Pelesapan Kuasa (Maks)
250W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
60V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
120A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 196µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
275nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
23000pF @ 30V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 45280 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPB021N06N3GATMA1
IPB021N06N3GATMA1 Komponen elektronik
IPB021N06N3GATMA1 Jualan
IPB021N06N3GATMA1 Pembekal
IPB021N06N3GATMA1 Pengedar
IPB021N06N3GATMA1 Jadual data
IPB021N06N3GATMA1 Foto
IPB021N06N3GATMA1 harga
IPB021N06N3GATMA1 Tawaran
IPB021N06N3GATMA1 Harga terendah
IPB021N06N3GATMA1 Cari
IPB021N06N3GATMA1 Membeli
IPB021N06N3GATMA1 Chip