Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IPB022N04LGATMA1

IPB022N04LGATMA1

MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
Nombor Bahagian
IPB022N04LGATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
D²PAK (TO-263AB)
Pelesapan Kuasa (Maks)
167W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
40V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
90A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2.2 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 95µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
166nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
13000pF @ 20V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 20174 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada IPB022N04LGATMA1
IPB022N04LGATMA1 Komponen elektronik
IPB022N04LGATMA1 Jualan
IPB022N04LGATMA1 Pembekal
IPB022N04LGATMA1 Pengedar
IPB022N04LGATMA1 Jadual data
IPB022N04LGATMA1 Foto
IPB022N04LGATMA1 harga
IPB022N04LGATMA1 Tawaran
IPB022N04LGATMA1 Harga terendah
IPB022N04LGATMA1 Cari
IPB022N04LGATMA1 Membeli
IPB022N04LGATMA1 Chip