Imej mungkin representasi.
Lihat spesifikasi untuk butiran produk.
IPB023N04NGATMA1

IPB023N04NGATMA1

MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
Nombor Bahagian
IPB023N04NGATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Obsolete
Pembungkusan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
D²PAK (TO-263AB)
Pelesapan Kuasa (Maks)
167W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
40V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
90A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 95µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
120nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
10000pF @ 20V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 7406 PCS
Maklumat perhubungan
Kata kunci daripada IPB023N04NGATMA1
IPB023N04NGATMA1 Komponen elektronik
IPB023N04NGATMA1 Jualan
IPB023N04NGATMA1 Pembekal
IPB023N04NGATMA1 Pengedar
IPB023N04NGATMA1 Jadual data
IPB023N04NGATMA1 Foto
IPB023N04NGATMA1 harga
IPB023N04NGATMA1 Tawaran
IPB023N04NGATMA1 Harga terendah
IPB023N04NGATMA1 Cari
IPB023N04NGATMA1 Membeli
IPB023N04NGATMA1 Chip