IPB027N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Nombor Bahagian
IPB027N10N3GATMA1
Pengeluar/Jenama
Siri
OptiMOS™
Status Bahagian
Active
Pembungkusan
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasi
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Pakej / Kes
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakej Peranti Pembekal
D²PAK (TO-263AB)
Pelesapan Kuasa (Maks)
300W (Tc)
Jenis FET
N-Channel
Ciri FET
-
Longkang ke Voltan Sumber (Vdss)
100V
Arus - Longkang Berterusan (Id) @ 25�C
120A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 275µA
Caj Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
206nC @ 10V
Kapasitan Input (Ciss) (Maks) @ Vds
14800pF @ 50V
Voltan Pemacu (Max Rds Hidup, Min Rds Hidup)
6V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Sebut Harga
Sila lengkapkan semua medan yang diperlukan dan klik "SERAH", kami akan menghubungi anda dalam masa 12 jam melalui e-mel. Jika anda menghadapi sebarang masalah, sila tinggalkan mesej atau e-mel kepada [email protected], kami akan bertindak balas secepat mungkin.
Dalam stok 9472 PCS
Maklumat perhubungan
Produk Berkaitan
Kata kunci daripada IPB027N10N3GATMA1
IPB027N10N3GATMA1 Komponen elektronik
IPB027N10N3GATMA1 Jualan
IPB027N10N3GATMA1 Pembekal
IPB027N10N3GATMA1 Pengedar
IPB027N10N3GATMA1 Jadual data
IPB027N10N3GATMA1 Foto
IPB027N10N3GATMA1 harga
IPB027N10N3GATMA1 Tawaran
IPB027N10N3GATMA1 Harga terendah
IPB027N10N3GATMA1 Cari
IPB027N10N3GATMA1 Membeli
IPB027N10N3GATMA1 Chip